晶体管元件查询
型号：3DG181G
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.7 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.2 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：100 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：100 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：5 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：2 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：1 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.05 A】0.8 V
【集电极电流（Ic）＝0.05 A】0.8 V
特征频率（fT）：100 MHz
直流放大系数（hFE）：25~180
封装：B-4
更多NPN三极管3DG27B3DG12A3DG180G3DG181D3DG27AFBR14C3DK4A3DG181B3DG27C3DK4C3DK64B3DK104C3DG143B3DK107A3DK64D