晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：3DG100M
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.1 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.02 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：20 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：15 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.01 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.01 μA
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：25～270
芯片材质：硅

更多NPN三极管3DG103D3DG6D3DG100D3DG6A3DG102DTF3033DG200B3DG19FTF3053DG102B3DK3A3DG203B3DK5A3DG103CTF301

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