晶体管元件查询
型号：3DD4G
类型：NPN三极管
集电极耗散功率（PC）：
【管壳温度（Tc）＝75 ℃】10 W
【管壳温度（Tc）＝75 ℃】10 W
集电极电流（IC）：1.5 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：600 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：400 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：500 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝0.75 A】1 V
【集电极电流（Ic）＝0.75 A】1 V
特征频率（fT）：3 MHz
直流放大系数（hFE）：15~180
封装：F-1
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