晶体管元件查询
型号：2SK851
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：30 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.085 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管MGF1501DN2540N5STP190N55LF3SVD1N60DLND06R079SSH8N70YMP230N55FMV08N80EFS70KMJ-2LSDN60R950HTDHE100N06SGW280N65W3LSD65R930GTFSW1190ARQK0604IGDQA