晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:1N60G
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
2~40 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
1.2 A
漏极和源极电压(VDSS):600 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):11.5 Ω
封装:TO-92/TO-126/SOT-223/TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220TO-92
TO-126
SOT-223
TO-220F
TO-251
TO-252
TO-220

更多N沟道场效应管IRF832BUZ326STP9NK50ZFPHAT2282CFHP20N40AFHS100N8F6ACEP80N75PHD50N06LTHY5204ADHD1710HY3403D30N06MTW7N80ELSGC04R035MGF1414

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