晶體管是以半導體材料製作的二極體、三極體、場效應管、晶閘管等電子元件，本頁面主要用於查詢這些元器件的基本參數，部分元件顯示封裝效果圖。

兩種查詢方式

輸入型號查參數：可以輸入完整型號例如“1N4007”直接查看參數，或者輸入型號的一部分例如“1N400”則顯示一個列表，點擊某個型號查看參數。

輸入參數查型號：主要用於元件選型，先選擇好晶體管元件類型，電壓值和電流值輸入一項或兩項，點擊查詢即可。

示例：（點擊器件名稱查看參數）

晶體二極管
半導體兩端器件，它只往一個方向傳送電流，即單嚮導電特性。晶體二極體具有一個PN結，材質分為鍺或矽以及化合物半導體。晶體二極管在電路中常用作整流、穩壓、光電轉換、檢波等用途。

晶體閘流管
簡稱晶閘管，亦稱可控矽，是一種只有導通和關斷兩種狀態的大功率半導體器件，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。晶閘管元件分為單向晶閘管和雙向晶閘管，都是三個電極。
單向晶閘管：具有三個PN結的四層半導體結構（PNPN），三個電極分別是：陽極（A）、陰極（K）和門極（G）。
雙向晶閘管：由NPNPN五層半導體材料構成，相當於兩個單向晶閘管的反向並聯，但只有一個門極。三個電極分別是：第一陽極（T1）、第二陽極（T2）和門極（G）。

晶體三極管
半導體三端器件，也稱雙極型晶體管，具有電流放大作用，在電路中主要用於電信號放大。晶體三極體由兩個相鄰的PN結構成，按其排列方式分為PNP型和NPN型，三個引腳分別是基極（B）、發射極（E）、集電極（C）。晶體三極體是電子設備電路中的核心器件。

場效應晶體管
場效應晶體管分為結型（J-FET）、絕緣柵型（MOS-FET）兩大類。
按溝道材料：結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。
按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。
場效應晶體管（FET）是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件，是根據晶體三極體的原理開發出的新一代放大元件。由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管有3個電極：柵極（G）、漏極（D）、源極（S）。