トランジスタは半導体材料で作られたダイオード、トランジスタ、電界効菓トランジスタ、サイリスタなどの電子部品で、このページは主にこれらの部品の基本パラメータを調べるために使用され、一部の部品はパッケージ効菓図を表示します。

2つの検索方法

入力部の品番を入力してパラメータを調べる：完全な品番、例えば「1N4007」を入力して直接パラメータを見るか、品番の一部、例えば「1N400」を入力するとリストが表示され、ある品番をクリックしてパラメータを見ることができる。

パラメータを入力して品番を調べる：主に部品の選択に用いられ、まずトランジスタ部品のタイプを選択し、電圧値と電流値の1項目または2項目を入力し、検索をクリックすればよい。

例：(デバイス名をクリックするとパラメータが表示されます)

トランジスタダイオード
半導体両端デバイスは、一方向にのみ電流を伝送する、すなわち一方向導電特性である。トランジスタダイオードはPN接合を持ち、材質はゲルマニウムやシリコン、化合物半導体に分類される。トランジスタダイオードは、回路において、整流、電圧安定化、光電変換、検波などの用途によく用いられる。

サイリスタ
サイリスタ、オンとオフの2つの状態しかない大電力半導体デバイスであり、製御可能な整流、逆変換、週波数変換、電圧調整、無接点スイッチなどに多く使われている。サイリスタ素子には単方向サイリスタと双方向サイリスタがあり、いずれも3電極である。
単方向サイリスタ：アノード（A）、カソード（K）、ゲート（G）の3つのPN接合を有する4層半導体構造（PNPN）。
双方向サイリスタ：NPNPN5層半導体材料で構成され、2つの単方向サイリスタの逆並列接続に相当するが、ゲートは1つしかない。3つの電極は、第1の陽極（T1）、第2の陽極（T2）、およびゲート（G）である。

トランジスタ
半導体三端子デバイスは、バイポーラトランジスタとも呼ばれ、電流増幅作用を有し、回路において主に電気信号の増幅に用いられる。トランジスタは隣接する2つのPN接合で構成され、その配列によってPNP型とNPN型に分けられ、3つのピンはそれぞれベース（B）、エミッタ（E）、コレクタ（C）である。トランジスタは電子機器の回路におけるコアデバイスである。

電界効果トランジスタ
電界効果トランジスタには、大きく分けて接合型（J−FET）、絶縁ゲート型（MOS−FET）の2種類がある。
チャネル材料によって、接合型と絶縁ゲート型はそれぞれNチャネルとPチャネルの2種類に分けられる。
導電方式によって：デプレッション型とエンハンスメント型、接合型電界効果管はすべてデプレッション型で、絶縁ゲート型電界効果管はデプレッション型もあれば、エンハンスメント型もある。
電界効果トランジスタ（FET）は，入力回路を製御する電界効果を利用して出力回路の電流を製御する半導体デバイスであり，トランジスタの原理に基づいて開発された次世代増幅素子である。半導体中の多数キャリアのみで導電するため、モノポーラ型トランジスタとも呼ばれる。電界効果トランジスタには、ゲート（G）、ドレイン（D）、ソース（S）の3つの電極がある。