集成运算放大器的主要参数

开环放大倍数A VO :无反馈时集成运放的放大倍数。 闭环放大倍数A VF :有反馈时集成运放的放大倍数称为闭环放大倍数。其数值根据具体电路的反馈情况来计算。 输入失调电压 V IO :输入电压为零时,为了使放大器输出电压为零,在输入端外加的补偿电压。一般为毫伏级。它表征电路输入部分不对称的程度,VIO越小,运放性能越好。 输入失调电流I IO :输入电压为零时,为了使放大器输出电压为零,在输入端外加的补偿电流。其值为两个输入端静态基极电流之差。 输入偏置电流I IB :输入电压为零时,两个输

2009-05-13

国产集成运放的外形和符号

集成运算放大器(简称集成运放)是一种直接耦合的高放大倍数的线性集成电路。国产集成运放的封装外形主要采用圆壳式和双列直插式。 图1 集成运算放大器封装外形 国家标准(GB3430-82)规定,集成运放的型号由字母和阿拉伯数字表示,例如CF741、CF124等,其中C表示国家标准,F表示运算放大器,阿拉伯数字表示品种。 图2 集成运算放大器的电路符号 图2(a)是国家新标准(GB47281385)规定的集成运放在电路中的符号;图(b)是曾经用过的符号。画电路时,通常只画出输入和输出端,输入端标+号表

2009-05-13

门电路中的与门、或门、非门

门是这样的一种电路:它规定各个输入信号之间满足某种逻辑关系时,才有信号输出,通常有下列三种门电路:与门、或门、非门(反相器)。从逻辑关系看,门电路的输入端或输出端只有两种状态,无信号以0表示,有信号以1表示。也可以这样规定:低电平为0,高电平为1,称为正逻辑。反之,如果规定高电平为0,低电平为1称为负逻辑,然而,高与低是相对的,所以在实际电路中要选说明采用什么逻辑,才有实际意义,例如,负与门对1来说,具有与的关系,但对0来说,却有或的关系,即负与门也就是正或门;同理,负或门对1来说,具有或的关系

2009-05-13

微分电路与积分电路

什么是积分电路? 输出信号与输入信号的积分成正比的电路,称为积分电路 。 原理:从图1得,Uo=Uc=(1/C)icdt,因Ui=UR+Uo,当t=to时,Uc=Oo.随后C充电,由于RCTk,充电很慢,所以认为Ui=UR=Ric,即ic=Ui/R,故 Uo=(1/c)icdt=(1/RC)icdt。 这就是输出Uo正比于输入Ui的积分(icdt) RC电路的积分条件:RCTk 图1 积分电路 什么是微分电路? 输出信号与输入信号的微分成正比的电路,称为微分电路 。 原理:从图2得:Uo=R

2009-05-13

1.振荡器的定义: 在无需外加激励信号的情况下,能将直流电能转换成具有一定波形、一定频率和一定幅度的交变能量的电子电路称为振荡器。 2、正弦波振荡器 正弦波振荡器是指振荡波形接近理想正弦波的振荡器。主要有RC,LC和晶体振荡器三种电路。 3.振荡器的功用: 作为信号源,广泛应用于广播、电视、通信设备和各种测量仪器中,是电子技术领域中最基本的电子线路。 4、三点式LC振荡器 三点式LC振荡电路是实际工程中经常被采用的一种振荡电路,其产生的工作频率约在几MHz到几百MHz的范围,频率稳定度约为10-

2009-05-12

什么是复合管(达林顿管)

把两个或两个以上三极管的电极适当地直接连接起来,作为一个管子使用,即称为复合管 。由于复合管由达林顿提出,故许多文献中亦称它为 达林顿管 。 复合管有两种连接方式:一是两只同类型管子构成,如图1a、b所示:二是由不同类型的两只管子构成,如图1c、d所示。 图1 复合管的构成原则和特点 (1)把两只三极管连成复合管,须保证每只管子各极电流都能顺着各个管子的正常工作方向流动,且复合管各极电流要满足等效三极管的电流分配关系; (2)复合管的管型和电极性质与第一个管子相同; (3)复合管电流放大倍数12

2009-05-09

输入电压调节率 输入电压调节率也称输入电压调整率、线路调整率。在输出满载的情况下,输入电压变化会引起输出电压波动,测试输入电压在全输入范围内变化时输出电压偏离输出额定电压的百分比,即为输入电压调节率。 测试方法: 1)设置电源为满负载输出; 2)调节输入电压为下限值,记录对应的输出电压U1; 3)增大输入电压到额定值,记录对应的输出电压U0; 4)调节输入电压为上限值,记录对应的输出电压U2; 5〕按以下公式计算: 电压调节率={(U-U0)/U0}100% 式中:U为U1 和U2中相对U0变化

2009-05-08

一、单极型晶体管   单极型晶体管也称 场效应管 ,简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型晶体管。   特点:   输入电阻高,可达10 7 ~ 10 15 ,绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。   噪声低,热稳定性好,工艺简单,易集成,器件特性便于控制,功耗小,体积小,成本低。   分类:   根据材料的不同可分为 结型场效

2009-05-07
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