中国半导体器件型号命名及含义

发布时间 2008-07-14

中国半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。

2(二极管)、 3(三极管

第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时: A(N 型锗材料)、 B(P 型锗材料)、 C(N 型硅材料)、 D(P 型硅材料)。
表示三极管时: A (PNP 型锗材料)、 B(NPN 型锗材料)、 C(PNP 型硅材料)、 D(NPN 型硅材料)。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。

P(普通管)、 V(微波管)、 W(稳压管)、 C(参量管)、 Z(整流管)、 L(整流堆)、 S(隧道管)、 N(阻尼管)、 U(光电器件)、 K(开关管)、 G(高频小功率管)、 D(低频大功率管)、 X(低频小功率管)、 T(半导体晶闸管)、 Y(体效应器件)、 B(雪崩管)、 J(阶跃恢复管)、 CS(场效应管)、 BT(半导体特殊器件)、 FH(复合管)、 PIN(PIN 型管)、 JG(激光器件)。

第四部分:用数字表示序号。

第五部分:用汉语拼音字母表示规格号。

示例:

2AP9
2(二极管); A(N型锗材料); P(普通管); 9(序号) 

3DG18
3(三极管); D(NPN 型硅材料); G(高频小功率); 18(序号)

3AX81B
3(三极管); A(PNP型锗材料); X(低频小功率管); 81(序号); B(规格号)

标签: 半导体, 命名
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