CMOS型555与双极型555的性能指标异同

　　双极型５５５和CMOS型５５５因其制造工艺和流程的不同，生产出的５５５集成电路的性能指标也有所差异。表１列出了二者的主要电参数指标。

表１　双极型５５５与CMOS型５５５主要电参数

　　双极型５５５和CMOS的５５５的共同点：

1. 二者的功能大体相同，外形和管脚排列一致，在大多数应用场合可直接替换。
2. 均使用单电源，适应电压范围大，可与TTL、HTL、CMOS型数字逻辑电路等共用电源。
3. ５５５的输出为全电源电平，可与TTL、HTL、CMOS型等电路直接接口。
4. 电源电压变化对振荡频率和定时精度的影响小。对定时精度的影响仅0.05%/V，且温度稳定性好，温度漂移不高于50ppm/℃（即0.005%/℃）。

　　双极型５５５与CMOS型５５５的差异：

1. CMOS型５５５的功耗仅为双极型的几十分之一，静态电流仅为300μA左右，为微功耗电路。
2. CMOS型５５５的电源电压可低至２~３Ｖ；各输入功能端电流均为pA（微微安）量级。
3. CMOS型５５５的输出脉冲的上升沿和下降沿比双极型的要陡，转换时间短。
4. CMOS型５５５在传输过渡时间里产生的尖峰电流小，仅为2~3mA；而双极型５５５的尖峰电流高达300~400mA，如图１所示。
5. CMOS型５５５的输入阻抗比双极型的要高出几个数量级，高达1010Ω。
6. CMOS型５５５的驱动能力差，输出电流仅为1~3mA，而双极型的输出驱动电流可达200mA。

图１ 双极型555与CMOS型555尖峰电流对比

　　通过上面对两种型号的５５５的比较，在进行电路设计和应用时，应视具体情况选择型号。一般来说，在要求定时长、功耗小、负载轻的场合，宜选用CMOS型的５５５.而在负载重、要求驱动电流大、电压高的场合，宜选用双极型的５５５.此外，由于双极型的冲击峰值电流大，在电路中应加电源滤波电容，且容量要大。双极型５５５的输出阻抗远比CMOS型的输入阻抗低，一般要在５５５的电压控制功能端加一去耦电容（0.01~0.1μF），而CMOS型５５５可不加。CMOS型５５５的输入阻抗高达1010Ω量级，很适合做长延时电路，RC时间常数一般很大。

　　负载驱动能力方面，双极型５５５可直接驱动低阻负载，如继电器、小直流电机、扬声器等。CMOS型５５５只可直接驱动高阻抗负载。若驱动低阻负载，可在输出端加接三极管驱动，如图２所示。

图２ CMOS型555输出端加接三极管驱动负载