发光二极管简称发光管（英文简称LED），它是采用特殊的磷化镓（GaP）或磷砷化镓（CaAsP） 等半导体材料制成的、能够将电能直接转换成为光能的半导体器件。发光二极管虽然与普通二极管一样也是由 PN 结构成的，也具有单向导电性，但发光二极管不是应用它的单向导电性，而是让它发光作指示（显示）、照明器件。 当给发光二极管通过一定正向电流时，它就会发光。与带灯丝的普通小 电珠相比，发光二极管具有体积小、色彩艳丽、耗电低、发光效率高、响应速 度快、耐振动和使用寿命长等优点，可广泛应用于各种电子、电器装置

晶体二极管简称二极管，它和晶体三极管一样都是由半导体材料制成的。所谓半导体，是指导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，常用的半导体材料有硅和锗。我们常听说的美国硅谷，就是因为起先那里有很多家半导体厂商。 半导体材料有两个显著特性：一是导电能力的大小受杂质含量多少影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的硼，导电能力就可以提高50万倍以上；二是导电能力受外界条件的影响很大，如温度、光照的变化，都会使它的电阻率明显改变。利用这些特性，可以制造出用途广泛、各具特点、功能不一的半导体器件。 由于绝大多数半导

变容二极管是电子可变电容。换句话说，变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种现象导致了变容二极管在一些需要考虑电容因素的场合的几种常见应用。图1为一个典型的变容二极管调谐的lc振荡电路。电路耦合电感l2，的作用是当振荡电路被当作射频放大器使用时，将射频信号输人到振荡电路。主要的 lc振荡电路包括主电感l1，和电容c1与cr1的串联电容。除此之外，还要考虑广泛存在于电子线路的杂散电容cs。隔直电容和串联电阻的功能前面已经介绍过了。电容c2的作用是对调谐电压vin，进行滤波。 变容二极管的调

续流二极管都是并联在线圈的两端，线圈在通过电流时，会在其两端产生感应电动势。当电流消失时，其感应电动势会对电路中的原件产生反向电压。当反向电压高于原件的反向击穿电压时，会把原件如三极管，等造成损坏。续流二极管并联在线 两端，当流过线圈中的电流消失时，线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉。丛而保护了电路中的其它原件的安全。 　　 在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端，当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失，此时残余电动势通过一个二极管释放，起这种作用的二极管叫续流二极

二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为门槛电压，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的

肖特基整流二极管（SBD）以其开关速度快、整流电流大、压降低和低功耗等特性获得广泛应用，特别适用于高频整流电路和大电流整流电路。由于肖特基二极管特殊的结构原理，其反向耐压普遍较低，一般都在100V以下，这在一定程度上限制了其应用范围。 　　以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值： IF(A) VR(V) CASE 20 30 40 50 60 80 100 1.0 1S20 1S3

肖特基二极管（SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。 　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成 SBD）的

根据用途分类 　　1、检波用二极管 　　就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 　　2、整流用二极管 　　就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100